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万用表来检测电子元器件的好坏

2017-11-30 20:03:29来源: eefocus 关键字:万用表  检测电子元器件

在维修过程中,根据故障情况要用万用表检测电子元器件的好坏,如测量方法不正确就很可能导致误判断,这将给维修工作造成困难,甚至造成不必要的经济损失。测量方法分为元器件测试和线路板在路测试两种方式。在路测试:断开变频器电源,在不拆动线路板元器件的条件下,测量线路板上的元器件。对于元器件击穿、短路、开路性故障,这种检测方法可以方便快捷的查找出损坏的元器件,但还应考虑线路板上所测元器件与其并联的元器件对测量结果所产生的影响,以免造成误判断错误。下面介绍元器件好坏的判断方法:

  一、普通二极管的检测

  用MF47型万用表测量,将红、黑表笔分别接在二极管的两端,读取读数,再将表笔对调测量。根据两次测量结果判断,通常小功率锗二极管的正向电阻值为300-500Ω,硅二极管约为1kΩ或更大些。锗管反相电阻为几十千欧,硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要小的多)。好的二极管正向电阻较低,反向电阻较大,正反向电阻差值越大越好。如果测得正、反向电阻很小均接近于零,说明二极管内部已短路;若正、反向电阻很大或趋于无穷大,则说明管子内部已断路。在这两种情况下二极管就需报废。

来源:http://www.tede.cn

  在路测试:测试二极管PN结正反向电阻,比较容易判断出二极管是击穿短路还是断路。

  二、三极管检测

  将数字万用表拨到二极管档,用表笔测PN结,如果正向导通,则显示的数字即为PN结的正向压降。

  先确定集电极和发射极;用表笔测出两个PN结的正向压降,压降大的是发射极e,压降小的是集电极c。在测试两个结时,红表笔接的是公共极,则被测三极管为NPN型,且红表笔所接为基极b;如果黑表笔接的是公共极,则被测三极管是PNP型,且此极为基极b。三极管损坏后PN结有击穿短路和开路两种情况。

  在路测试:在路测试三极管,实际上是通过测试PN结的正、反向电阻,来达到判断三极管是否损坏。支路电阻大于PN结正向电阻,正常时所测得正、反向电阻应有明显区别,否则PN结损坏了。支路电阻小于PN结正向电阻时,应将支路断开,否则就无法判断三极管的好坏。

  三、三相整流桥模块检测

  

  以SEMIKRON(西门子)整流桥模块为例,如附图所示。将数字万用表拨到二极管测试档,黑表笔接COM,红表笔接VΩ,用红、黑两表笔先后测3、4、5相与2、1极之间的正反向二极管特性,来检查判断整流桥是否完好。所测的正反向特性相差越大越好;如正反向为零,说明所检测的一相已被击穿短路;如正反向均为无穷大,说明所检测的一相已经断路。整流桥模块只要有一相损坏,就应更换。来源:输配电设备网

 

        四、MOS管好坏的经验

               1:用黑表笔接在D极上 ,红表笔接在S极上 , 一般有一个500-600的阻值

               2:在黑表笔不动的前提下,用红表笔点一下G极,然后再用红笔测S极,就会出现导通
               3:红表笔接D极,黑表笔点以下G极后再接S极 测得的阻值和1测的是一样的 说明MOS管工作正常~~


               以下方法,是我在维修过程中总结的,在板上,不上CPU的情况下,直接打S 和G 的阻值,小于30欧 都基本坏了, 可以对照上面

数字万用表测MOS管的方法:(用2极管档)的方法取下坏的管测

  五、逆变器IGBT模块检测

  将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块C1